Гаджеты 10 октября 2026, 21:14 МСК

CXMT планирует до конца 2026 года показать серверную память DDR5 с ячейкой 4F²

Китайская CXMT намерена представить модули DDR5 RDIMM с архитектурой 4F², опередив Samsung, которая ждёт такую технологию в 2028 году.

Об этом заявил президент CXMT Цао Каньюй на конференции Integrated Chip and Chiplet Conference в Шанхае. Архитектура 4F² уменьшает площадь ячейки DRAM по сравнению с 6F² примерно на треть, что теоретически даёт прирост плотности на 30–50%. Над ней компания работает с 2021 года; по предварительным данным, память может сочетаться с техпроцессом G5 DRAM класса 15 нм, а первые продукты могут использовать лишь отдельные элементы архитектуры.

Параллельно CXMT развивает технологию High-k Metal Gate для снижения токов утечки. К концу 2026 года компания рассчитывает выйти на 300 тысяч 300-мм пластин в месяц, а в перспективе — на 600 тысяч. Некоторые прогнозы допускают, что к 2030 году CXMT обойдёт Micron по объёмам, но оценки зависят от оборудования, выхода годных чипов и спроса.

Samsung разрабатывает свою версию 4F² в рамках техпроцесса D0a с гибридным соединением пластин; серийный выпуск ожидается в 2028 году. Рынок DRAM по-прежнему возглавляют Samsung, SK hynix и Micron.

• Плотность памяти может вырасти на 30–50%
• Samsung ожидает аналогичную технологию в 2028 году
• Цель CXMT — 300 тыс. пластин в месяц к концу 2026 года