ТехноСводка

Бизнес

Samsung разрабатывает три типа z-NAND для локального ИИ, дата-центров и инференса

По данным ZDNet Korea, Samsung готовит три варианта флеш-памяти z-NAND под разные ИИ-нагрузки.

Первый, zNAND-O, анонсированный в августе, предназначен для локального ИИ. Он использует вертикальную компоновку 4–8 кристаллов через TSV, что сокращает путь данных и повышает скорость и энергоэффективность.

zNAND-T, пока официально не анонсирован, ориентирован на пропускную способность в дата-центрах и близок к концепции HBF. zNAND-I, также не представленный, оптимизирован под высокий IOPS при случайном доступе, важный для ИИ-инференса и кеширования.

Разделение линейки связано с запросами крупных IT-компаний на кастомизацию. Похожий подход развивает и SK hynix.

  • zNAND-O: локальный ИИ, TSV, 4–8 кристаллов
  • zNAND-T: пропускная способность
  • zNAND-I: высокий IOPS

Источники

Текст подготовлен автоматически по материалам источников и может содержать неточности.