Бизнес 14 октября 2026, 15:05 МСК

CXMT рассчитывает первой выпустить DDR5 с ячейками 4F2 до конца года

Китайская CXMT планирует до конца 2026 года начать выпуск DDR5 RDIMM с архитектурой ячеек 4F2, а эксперты связывают спешку с американскими санкциями.

Президент CXMT Цао Каньюй сообщил о намерении наладить выпуск такой памяти в этом году. Переход с привычной 6F2 на 4F2 повышает плотность ячеек на кристалле и объём памяти. Компания готова опередить в этом Samsung, SK hynix и американского конкурента.

Аналитик Nomura Чан Вонь Чун в разговоре с Nikkei Asian Review пояснил, что у корейских компаний есть более простые способы повышать плотность, а у CXMT из-за ограничений США на поставки оборудования их нет. Поэтому ей приходится использовать многократное экспонирование или ускорять внедрение 4F2. Представитель южнокорейской отрасли добавил, что рост плотности усложняет теплоотвод, и CXMT предстоит решить эту задачу при массовом производстве.

SK hynix признала работу над 4F2 в прошлом году, Samsung публично об этом не говорит. По данным южнокорейских СМИ, Samsung намерена сочетать 4F2 с вертикальным каналом транзисторов. Обе корейские компании изучают оборудование ASML High-NA EUV, а CXMT из-за санкций не имеет доступа даже к более зрелому оборудованию ASML.

• Выпуск DDR5 RDIMM на 4F2 — до конца 2026 года
• CXMT лишена доступа к оборудованию ASML из-за санкций США