Бизнес 19 октября 2026, 10:30 МСК

Samsung будет использовать базовые кристаллы TSMC для памяти NVHBM

По данным Seoul Economic Daily, Samsung на первых порах применит 3-нм базовые кристаллы TSMC в памяти NVHBM для Nvidia.

В NVHBM контроллер памяти перенесён на базовый кристалл, а площадь блока PHY сокращена на 60% по сравнению с классической HBM. Это, как сообщается, даёт прирост пропускной способности до 30% и снижение энергопотребления на 15% относительно стандартной HBM4E.

Nvidia считает оптимальным для базового кристалла 3-нм техпроцесс с высоким выходом годных чипов. TSMC может обеспечить более 90%, а Samsung в обозримом будущем вряд ли превысит 60%. Поэтому выпуск таких кристаллов логично поручить TSMC.

Samsung при этом готовится к собственному производству и, как ожидается, попытается сертифицировать 2-нм техпроцесс. Базовые кристаллы для классической HBM и для других клиентов она планирует делать сама. По оценке UBS, в следующем году спрос на HBM вырастет на 91%, а поставщики смогут закрыть лишь около 90% потребности. Компании также сотрудничают в области упаковки чипов.

• PHY меньше на 60%, пропускная способность до +30%, энергопотребление −15%
• Выход годных: TSMC выше 90%, Samsung около 60%
• UBS: спрос на HBM вырастет на 91%