Бизнес 21 октября 2026, 13:05 МСК

Samsung и SK hynix модернизируют китайские заводы NAND в рамках санкций США

Samsung и SK hynix обновляют заводы в Сиане и Даляне для выпуска более современной NAND-памяти, заявляя о соблюдении экспортных ограничений США.

По данным Reuters, Samsung рассчитывает наладить в Сиане выпуск 286-слойной V9 NAND (сейчас около 200 слоёв), а SK hynix в Даляне намерена перейти со 192 на минимум 240 слоёв. Обе компании подтвердили модернизацию и консультации с Вашингтоном, но планы не раскрыли. Samsung заявила, что не расширяет мощности и не строит новые предприятия в Китае, как и договаривались в 2022 году.

По источникам Reuters, в Сиане к декабрю этого года выпуск составит 5000 пластин в месяц, а к декабрю следующего — 40 000. Площадка даёт около 40% мировой NAND Samsung. Неофициально США позволяют SK hynix выпускать в Даляне память до 240 слоёв включительно.

По данным Omdia, во втором квартале доля китайской YMTC на рынке КНР составила 38,5% против 28% по итогам 2025 года; доля Samsung снизилась с 36 до 33,5%, SK hynix — с 20 до 17%.

• Сиань: до 286 слоёв, 40 000 пластин в месяц к декабрю 2027
• Далянь: от 240 слоёв вместо 192
• YMTC занимает 38,5% рынка NAND в Китае