Гаджеты 22 октября 2026, 07:25 МСК

Micron анонсировала NAND G11 с более чем 400 слоями, выпуск — во второй половине 2027 года

Micron представила флеш-память G11 с более чем 400 слоями: массовое производство планируется на вторую половину 2027 года.

Плотность хранения данных у G11 на единицу площади будет примерно вдвое выше, чем у нынешней G9 NAND с 276 слоями. Скорость ввода-вывода вырастет до 1,5 раза, а энергопотребление при передаче данных снизится более чем на 25%. Судя по планам, Micron может пропустить поколение G10.

После G11 компания намерена внедрять в NAND новые материалы с высокой подвижностью носителей заряда, чтобы создать более плотную архитектуру ячеек и повысить энергоэффективность.

Отдельно Micron представила два типа NAND для ИИ-инфраструктуры ЦОД. Первый оптимизирован под высокий IOPS и использует SLC-память для подключения напрямую к GPU. Второй ориентирован на высокую пропускную способность и по концепции напоминает HBF.

• Более 400 слоёв против 276 у G9
• Плотность примерно в 2 раза выше
• Энергопотребление при передаче данных — минус 25%+