Бизнес 23 октября 2026, 18:00 МСК

Micron отказалась от разработки 4F² DRAM и продолжит масштабировать архитектуру 6F²

Micron закрывает проекты по 4F² DRAM, решив, что теоретические преимущества ячейки нивелируются технологическими сложностями и ростом себестоимости.

Более 20 лет переход с 6F² на 4F² считался способом продолжить масштабирование DRAM: площадь ячейки сократилась бы на 33%, а число кристаллов с пластины выросло бы до 50%. В Micron считают, что плотность ограничена не транзистором, а шагом и объёмом конденсаторов. Уменьшение конденсаторов требует увеличивать их высоту, что приводит к механической нестабильности и залипанию при травлении, а также усиливает паразитные наводки между битовыми линиями.

Micron будет наращивать плотность 6F² за счёт более плотного шага конденсаторов, материалов с высокой диэлектрической проницаемостью и новых методов литографии. Во второй половине 2027 года компания планирует начать массовое производство памяти по техпроцессу 1δ с приростом плотности 20–25%, позже — использовать High-NA EUV. Дальнейшим шагом индустрии Micron называет 3D DRAM и уже ведёт параллельную разработку нескольких поколений таких процессов.

Samsung и SK hynix, как отмечается, сохраняют 4F² в долгосрочных планах, поэтому решение Micron расходится с курсом конкурентов.

• 1δ техпроцесс: массовое производство во второй половине 2027 года
• Прирост плотности 20–25%
• Samsung и SK hynix сохраняют 4F² в планах