ТехноСводка

Гаджеты

Micron пропустит десятое поколение и выпустит 3D NAND G11 с более чем 400 слоями

Micron готовит сразу 3D NAND G11 с более чем 400 слоями вместо 276 у G9, массовое производство начнётся во второй половине 2027 года.

Компания обещает ускорить передачу данных на 50% и снизить энергозатраты на передачу бита более чем на четверть относительно G9. Скорость интерфейса, по расчёту на основе 3,6 Гбит/с у G9, составит около 5,4 Гбит/с. Президент и технический директор Micron Скотт ДеБур заявил, что память оптимизирована для будущих ИИ-систем, поэтому компания переходит сразу с 9-го на 11-е поколение.

ComputerBase оценивает плотность записи примерно в 42 Гбит/мм2 (у G9 TLC — 21 Гбит/мм2), но это лишь оценка: Micron не уточнила тип памяти, а TLC и QLC напрямую сравнивать нельзя. В G11 применят технологию wafer-on-wafer bonding, где массив ячеек и схема ввода-вывода делаются на отдельных пластинах. Ранее её внедрили YMTC, Kioxia, SanDisk и Samsung.

Потребительские SSD на G11 появятся позже начала массового производства. Поколения G12 в дорожной карте нет, но упомянуты «архитектура ячеек сверхвысокой плотности» и «прорывный материал с высокой подвижностью носителей заряда».

  • Более 400 слоёв против 276 у G9
  • Скорость интерфейса выше на 50%
  • Массовый выпуск — вторая половина 2027 года

Источники

Текст подготовлен автоматически по материалам источников и может содержать неточности.