Бизнес 24 октября 2026, 13:48 МСК

Infineon и NVIDIA разработают GaN-технологию питания для ИИ-стоек на 800 В

Infineon заключила с NVIDIA соглашение о разработке технологии преобразования энергии на нитриде галлия для архитектуры питания ИИ ЦОД на 800 В постоянного тока.

Как сообщает Data Centre Dynamics, соглашение продолжает договорённости, достигнутые в мае 2025 года. Основной упор сделан на преобразователи промежуточной шины питания (IBC), которые понижают напряжение основной шины, питающей ускорители, чтобы следующие каскады могли формировать нужные значения для компонентов.

GaN-компоненты переключаются быстрее кремниевых и имеют меньшие потери, что позволяет достигать частот до 1 МГц на промежуточном этапе. Это уменьшает магнитные и пассивные компоненты, повышает плотность мощности и снижает высоту плат, что важно, поскольку мощность серверных стоек приближается к мегаваттной. Стандарт 800 В DC внедряется наряду с системами переменного тока и низковольтного постоянного тока.

У Infineon есть GaN-преобразователи с 800 В до 50, 12 и 6 В, а также кремниевые и карбид-кремниевые аналоги. Ранее Winbond договорилась купить у Infineon бизнес NOR и FRAM, а сама Infineon поглотила C2i Semiconductors.

• Фокус: преобразователи промежуточной шины (IBC)
• GaN позволяет частоты переключения до 1 МГц
• Мощность стоек приближается к мегаватту