Гаджеты 28 октября 2026, 12:32 МСК

Стартап Nagare Labs разрабатывает память Z2RAM, сочетающую свойства DRAM, SRAM и NAND

Nagare Labs, в которую вложился бывший глава Intel Патрик Гелсингер, разрабатывает память Z2RAM, обещающую плотность DRAM и скорость, близкую к SRAM.

Гелсингер рассказал The Register, что за три десятилетия в памяти не было существенных инноваций. Z2RAM основана на оксидных полупроводниках и интегрируется прямо на вычислительные компоненты с помощью 3D-сращивания, концептуально напоминая 3D V-Cache от AMD. Ячейка содержит два транзистора и хранит заряд на ёмкости затвора второго, что снижает задержки чтения по сравнению с DRAM.

В первой версии плотность обещана более чем в 5 раз выше SRAM: 320 Мбайт вместо 64 Мбайт на той же площади. Это может быть важно для ускорителей на SRAM вроде Nvidia Groq, чьи чипы Groq 3 имеют около 500 Мбайт SRAM. По технологии производства память ближе к NAND, поэтому должна быть дешевле и проще HBM.

Прототипы пока не вышли за пределы лабораторий, и стартап ищет партнёра с производственной линией. Рабочие чипы планируются в течение четырёх лет, массовые поставки — в течение десяти. Среди проблем — отсутствие стандартного интерфейса и нестабильность свойств оксидных полупроводников.

• 320 Мбайт против 64 Мбайт у SRAM на той же площади
• Рабочие чипы — за 4 года, серия — за 10 лет